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9、3年以(yi)上碳化硅晶體(ti)生長工藝制(zhi)定和操作經驗,具有工廠生產和管理(li)(li)經驗者(zhe)優先(xian)。二(er)、崗(gang)位職(zhi)責:1、根據設備狀況(kuang)制(zhi)定工藝實驗并實施;2、對操作人(ren)員進行管理(li)(li),確保(bao)實驗順利(li)。

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微波碳化硅烘干(gan)設備是我公(gong)司研發、生產(chan)的化工烘干(gan)設備之一。其具(ju)有烘干(gan)速度快(一般幾分鐘可完(wan)成烘干(gan)過程)、時間短、實現(xian)流水化。

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有研(yan)究者以(yi)Al2O3為添加劑(ji),通過熱壓燒結工藝,也實現(xian)了(le)碳(tan)化(hua)硅的致(zhi)密化(hua),并認為其機理(li)是液相燒結。此外,還(huan)有研(yan)究者分別(bie)以(yi)B4C、B或B與C,Al2O3和(he)C、Al2O3和(he)Y2O3。

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2008年(nian)12月29日-西(xi)安(an)理(li)工(gong)大(da)學承擔的(de)陜西(xi)重大(da)科技創新項目“大(da)直徑碳(tan)化硅晶體生(sheng)長工(gong)藝及(ji)設備(2005ZKC05-02)”于2008年(nian)12月24日通過驗收。由(you)陜西(xi)省(sheng)(sheng)科學技術廳會同(tong)省(sheng)(sheng)。

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2006年7月6日(ri)-西安(an)理工大(da)學電子工程系陳治明教授承擔的(de)陜西省重大(da)科技(ji)創新項目“大(da)直徑碳化硅晶體(ti)生長工藝及(ji)設備”進展順利(li),目前已用該課題(ti)組自行(xing)研制、具有自主知識產(chan)權。

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陜西重大科技創新項目“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”通過驗收

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[摘要]一種制造單晶碳化(hua)硅薄膜(mo)的設備,包括適于接受(shou)成膜(mo)用的SOI基(ji)材(cai)100的成膜(mo)利用本發明(ming)的方法制備碳化(hua)硅納米棒,其工(gong)藝(yi)實施簡單、易于大批量生產、制備溫度低。

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